GRGT, “InventChip” -e awtoulag derejesindäki “SiC” güýç enjamlaryny kepillendiriş işini tamamlamaga kömek etdi

GRGT, InventChip Technology Co., Ltd. (InventChip), kremniy karbid (SiC) MOSFET önümleriniň birnäçesinde sertifikat gutarmagy, InventChip-iň kuwwat enjamlary önümlerini dizaýn etmekde, köpçülikleýin önümçilikde üç basgançakly strategiýasynyň soňky tapgyrynda durmuşa geçirmegine kömek etdi. we awtoulag derejesindäki şahadatnama.

Umumy sarp ediş önümleriniň meýdanyndan tapawutlylykda, ýokary ygtybarlylyk standartlaryna laýyk gelýän awtoulag elektron bölekleri talap edilýär.Şeýle-de bolsa, häzirki wagtda içerde öndürilen awtoulag elektrik enjamlary önümleri, ilkinji nobatda, ýapyk basgançakda saklanýar we awtoulag öndürijileriniň ynamyny gazanmak üçin sertifikatlary üçin köp synag maglumatlary talap edýär.Awtoulag derejesindäki elektron komponentleri tehnologiýasyny ulanmakda ýüze çykan birnäçe meseläni has gowy çözmek üçin GRGT, awtoulag derejesindäki elektron komponentlerinde synag we derňew pudagynda çalt ýerleşdirmek ukybyna eýe bolup, içerki tehniki hyzmat instituty boldy. awtoulag derejesindäki elektron bölekleriniň hilini we ygtybarlylygyny ýokarlandyrmak.

GRGT, InventChip bilen bilelikde 1200V 160mΩ, 80mΩ, 50mΩ, 17mΩ SiC MOSFETs, 1200V 40A SiC diodlary, SiC-e ýanaşyk sürüjisi TM çipleri we beýleki önümler ýaly synag we sertifikatlaşdyrmakda birnäçe elementi ýerine ýetirdi.

InventChip-e güýç enjamlary we çip önümleri üçin has professional, obýektiw we täsirli şahadatnama bermek üçin GRGT synag çözgütleriniň toplumyny taslady we durmuşa geçirdi.Obýektiw synag we baha bermek arkaly, GRGT obýektiw synag we baha bermek arkaly hilini we ygtybarlylygyny barlamaga kömek etdi, önümiň bäsdeşlige ukyplylygyny ösdürmäge kömek etdi, şeýlelik bilen awtoulag bazaryny has gowy açdy we doly awtoulag we birinji derejeli üpjün edijiler üçin ygtybarly maglumat salgylanmalaryny berdi. .

Şol sebäpli, InventChip-iň düýbüni tutujy we baş direktory Zhangan ongongxi: “Awtoulag derejesindäki önümlerimize hünär we netijeli synag we sertifikat tehniki goldawy, önümiň ygtybarlylygyny obýektiw görkezmäge kömek edenligi üçin GRGT-ä minnetdarlyk bildirýäris. öndürijiligi we awtoulag elektroniki talaplary üçin ýörite işlenip düzülen ýokary derejeli ygtybarlylyk, hil we öndürijilik önümine degişli iň ýokary tehniki çäkli 1200V 17mΩ SiC MOSFET ýaly önümler üçin awtoulag derejesindäki şahadatnamalary doldurmak. ”